符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、JEDEC标准试验要求。系统能满足能满足各种封装形式（包括SMT表面贴装）二极管、三极管、场效应管和可控硅等分立器件进行高温反偏电耐久性试验（HTRB、High Temprature Reverse Bias）、高温漏电流测试（HTIR）和老炼筛选。

　　主要特征：

　　试验温度范围：室温~150°C；电压检测范围：0~2000V，分辨率：0.1V，精度：±1+0.1V；漏电流检测范围：0~50mA，分辨率：0.1μA，精度：1+1LSB