国产芯片装备大突破：中核高能离子注入机成功！

　　2026年1月17日，中核集团中国原子能科学研究院宣布，我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）成功出束，核心指标比肩国际顶尖水平。这一突破填补了功率半导体制造链的“卡脖子”短板，可直接降低IGBT制造成本30%以上。

　　据了解，离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造不可或缺的“刚需”设备。长期以来，我国高能氢离子注入机完全依赖进口，其研发难度大、技术壁垒高，是制约我国战略性产业升级的瓶颈之一。

　　原子能院依托自身在核物理加速器领域数十年的技术积累，以串列加速器技术作为核心手段，破解一系列难题，掌握了串列型高能氢离子注入机从底层原理到整机集成的正向设计能力，打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断。